PECVD利用(yong)等(deng)(deng)离子体增(zeng)强化学气相沉(chen)积(ji)技术，可以生(sheng)长a-Si、SiOx、SiNx等(deng)(deng)材料半导(dao)体纳米(mi)薄膜(mo)。捷造的PECVD技术应用(yong)于范围从6英(ying)寸到12英(ying)寸的实验室设备，300mmx300mm到1200x1200mm的中试(shi)设备，以及产(chan)能500MW-750MW的生(sheng)产(chan)型设备。
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CBV系列型智(zhi)能流(liu)导控制(zhi)阀(fa)是泵端(duan)压(ya)力控制(zhi)系统(tong)的(de)核心单元，集成了蝶形流(liu)导阀(fa)门、测(ce)量电(dian)路(lu)(lu)、闭环控制(zhi)器(qi)、通信(xin)和(he)阀(fa)门驱(qu)(qu)动电(dian)路(lu)(lu)。控制(zhi)器(qi)内置控制(zhi)算法(fa)和(he)高速(su)驱(qu)(qu)动系统(tong)可以使(shi)系统(tong)压(ya)力快(kuai)速(su)达到设定值(zhi)，并且具有最(zui)小的(de)超调量。控制(zhi)器(qi)带有学习算法(fa)，可以使(shi)阀(fa)门适应(ying)多种复杂应(ying)用环境(jing)。
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采用低损伤溅(jian)射技术(shu)、离子源离子辅助沉(chen)积(ji)、共蒸发等(deng)物理(li)气(qi)相沉(chen)积(ji)(PVD)技术(shu)，应用于(yu)光伏半导体TCO电极、钙钛矿材料沉(chen)积(ji)，捷造的(de)PVD技术(shu)涵盖实验室(shi)、中试和产线技术(shu)应用。
Learn more捷造的专用核心(xin)部件(jian)和仪器，广泛(fan)应用于光伏和半(ban)导体设备，用于解(jie)决工(gong)艺制(zhi)程中核心(xin)操作，这些部件(jian)包含等离(li)子体发生、溅射(she)阴极、蒸发源、压力控制(zhi)阀(fa)(fa)、门阀(fa)(fa)、真空机械手、膜厚测量仪等。
空心(xin)阴极和热(re)阴极离(li)子源(yuan)，最大(da)电流50-150A，中低压工(gong)作(zuo)电压，可用于离(li)子束加热(re)、反应离(li)子辅助沉积等工(gong)艺制程
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安(an)装于标(biao)准(zhun)450平台的(de)的(de)多(duo)蒸(zheng)发源共沉(chen)积模块，2-6个独(du)立(li)(li)蒸(zheng)发源，独(du)立(li)(li)气动挡板，直流闭环电(dian)流控(kong)制。用于OLED/钙钛(tai)矿(kuang)材料(liao)研(yan)究(jiu)。
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